4月9日，第十一届中国电子信息博览会在深圳会展中心顺利收官。作为展示全球电子信息产业最新产品和技术的顶级平台，中国电子信息博览会自2013年首次举办以来，经过十一载时光淬炼，一路见证了产业发展的壮阔历程，已成为推动技术创新的参与者与引领产业发展的风向标。

芯达茂产品亮相盛会

4月7日-9日，厦门芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相本次盛会。芯达茂锁定行业发展前沿，深耕国内市场，快速打通产业链资源，把握“芯”机遇。

芯达茂展出的IGBT系列产品，提供兼具高性能、高可靠度等优势的电机“心脏”，强劲助力新能源、工业、交通、智能制造领域发展。

产品采用沟槽结构的场截止技术，晶圆元胞区和终端场板的特殊设计实现在大电流、大电压的环境下始终保持卓越性能与高可靠度，从根本上打破国外大厂垄断全面赋能第三代半导体国产替代。

电子元器件峰会演讲

4月8日，芯达茂CTO、麻省理工博士蔡铭进在2023中国电子元器件创新与供应链安全发展峰会上，发表了关于《碳化硅功率器件的演进、机会与挑战》的演讲。

蔡博分享总结了SiC器件，特别是SiC MOSFET的技术和产品的发展历程。阐述了SiC MOSFET在中国的应用和市场机会，以及国内企业需要克服的技术挑战。

SiC是一种宽带隙化合物，具有优异的材料特性，包括高电子迁移率、击穿电压、高导热度和热稳定性等。这些特性导致SiC功率器件的高效率、高切换速度、耐高压、高功率密度、小的形状因数和简单的冷却系统，使得在电动汽车、光伏和其他产业应用上极有优势。但它的高材料成本，及器件的可靠度技术问题，一直限制或延迟它的广泛应用。

作为国内碳化硅半导体功率器件主流供应商之一，芯达茂拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，在国产化替代中不断探索开发，紧跟国际大厂的步伐，缩小差距。