本届电博会立足产业前沿，在展示内容上不断升级，特别设立了CITE 品牌创新主题馆、基础电子馆、数字贸易及智能终端馆、电子信息产业应用馆等多个展馆，聚焦智慧家庭、新型显示、高端半导体、信创、大数据与存储、特种电子、人工智能、绿色消费电子、基础元器件等行业热点，旨在向全球展示电子信息产业的新产品、新技术、新服务、新模式、新趋势、新理念，并为产业界搭建一站式的交流和采购平台。

芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相本次盛会，通过前沿的技术和优质的产品展现“芯实力”，吸引了许多企业代表和行业专家纷纷前来交流、咨询。芯达茂团队耐心地介绍产品，解答问题，展现了专业、高效的服务态度。

芯达茂产品同时也获得了CITE专家评委的高度评价，1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品荣获“第十二届中国电子信息博览会创新奖”。

该奖项由中国电子信息行业创新评选组委会联合电子信息领域十大行业协会，共同组织评选，旨在打造代表我国电子信息行业最高创新水平的奖项。涉及新型显示、集成电路、基础电子、智能网联与新能源、智能硬件、软件与应用、智能制造等多个领域。

4月10日，芯达茂研发副总徐守一在2024中国电子元器件创新与供应链发展峰会上，发表了《第三代半导体技术、产品与产业的挑战和机遇》的演讲。

徐总重点陈述、分析了第三代半导体产品本身在性能、价格与可靠度的问题，并讨论器件周边驱动、控制、应用上的几个对策。最后对于国内产业生态链，竞合关系的现况与未来提出看法。

第三代半导体由于材料优越的电气特性，在半导体器件方面的研究与开发已历经50多年。但也是因为材料特性必须克服衍生在晶圆成长、器件制作的问题、供应链的建立及使用者的接受，直到2018年才开始有规模的商业量产，至今也不过是5年多的新兴产业。而在应用市场快速成长的同时，仍存在一些基本与衍生的难题有待克服。

IGBT功率整合模块：

智能IGBT、MOS模块：

绝缘栅双极晶体管(IGBT)：

IGBT晶圆：