• IGBT的导通与截止是由栅极电压控制的，如图一所示。栅极加正向电压时，MOSFET内形成通道，并为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。栅极加负向电压时，MOSFET内通道消失，基极电流切断，IGBT截止。

• 开态相当于水龙头放水，IGBT持续通电流状态；漂移区存在大量电子-电洞；漂移区电阻降低，使耐压高的IGBT也具有低的导通电压特性。

• 关态相当于水龙头关闭，水龙头需要承载一定的水压且不能漏水；IGBT承载电压且不能有漏电流；漂移区不存在大量电子-电洞；漂移区可以承压。

• 开关状态：截止到导通或者导通到截止都是瞬间完成；寄生电容充电和放电过程。

△图一

IGBT对应不同应用会有特性上的的权衡，例如变频器应用(电机控制)会相较电源类应用的频率低，所以更在意导通损耗要低且要有能够承受短路的能力，一般来说tsc>10us, 而电源类的应用则需要开关损耗低，如图二所示。

△图二

IGBT的应用领域广泛，如图三所示为其主要应用领域，标红底的部份则是远期较有可能被SiC取代的领域。

△图三

芯达茂因应光伏逆变/储能/充电桩/PFC的应用领域及电路拓璞，开发了各式相应的功率器件，可满足各种的应用需求，如下表所示:。

△图四